衡水名师卷2024-2023学年度高三分科检测提分卷 151靶向提升(河北省)(二)2物理

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(3)图(b)为某次实验得到的一条纸带,a、b、c为三个计数点,相邻两计数点间还有四个点没有画出,可求得小车的加速度大小为m/s^2,打点计时器在打a点时小车A的瞬时速度为m/s.(交变电流的频率为50Hz,结果均保留2位有效数字)

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2.图中是生活中磨刀的情景.若磨刀石始终处于静止状态,当刀相对磨刀石向前运动的过程中,下列说法错误的是A.刀受到的滑动摩擦力向后B.磨刀石受到地面的静摩擦力向后C.磨刀石受到四个力的作用D.地面和磨刀石之间有两对相互作用力

衡水名师卷2024-2023学年度高三分科检测提分卷 151靶向提升(河北省)(二)2物理第二部分（待更新）

16.(16分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直于纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直于纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一棱长为L的正方体,其底面与晶圆所在水平面平行,间距也为L。,当偏转系统不加电场及磁场时,质量为m的离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点,,x轴垂直纸面向外)。整个系统置于真空中,不计离子重力及离子间的相互作用,打在晶圆上的离子,经过电场和磁场偏转的角度都很小。当α很小时,有sinα≈tanα≈α,cos,1-12a^2。(1)离子通过磁分析器选择出来离子的电荷量;(2)偏转系统仅加电场时,离子在穿越偏转系统中动能的增加量;(3)偏转系统仅加磁场时,离子注入晶圆的位置坐标(x,y)(用长度R1、R2、及L表示)。

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