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2023泸州二诊高三3月联考化学

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试题答案

2023泸州二诊高三3月联考化学试卷答案

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2023泸州二诊高三3月联考化学

7.GaAs的晶胞结构如图甲所示,将Mn掺杂到GaAs的晶体中得到稀磁性半导体材料,其结构如图乙所示。a、b点的原子分数坐标分别为(0,0,0)和(1,1,0)。下列说法错误的是A.c点Mn的原子坐标为(0,12,12)B..品体乙中Mn、Gz、As的原子个数比为5:27:32C.基态Ga原子未成对电子数为3D.若Gass晶胞参数为am,则Ga和As之间的最短距离为34am

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4.CH2CH2与HCl的加成反应由第一步HCl+CH2CH2[]H3^+CCH2+Cl^-和第二步H3^+C-CH2+Cl^-[]CH3-CH2Cl组成,能量与反应历程如图所示。下列说法正确的是A.两步反应均释放能量B.第一步的反应速率比第二步的慢C.第二步H3^+C=CH2与Cl^-的碰撞100%有效D.总反应HCl(g)+CH2CH2(g)[]CH3CH2Cl(g)H=E01-E22

14.有一镁铝合金共21g,把其加人1L5molL^-1的盐酸中,共收集到标准状况下的气体22.4L,下列说法正确的是(不考虑溶液体积的变化和盐酸的挥发)A.n(Al):n(Mg)=3:2B.反应后溶液中的c(HCl)=3molL^-1C.上述反应中仅涉及2种基本反应类型的反应D.镁铝合金的熔点高于纯铝

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