天一大联考2023年高考冲刺押题卷(五)5化学

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天一大联考2023年高考冲刺押题卷(五)5化学试卷答案

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(31Ga)(4)(Ga)的化合物氮化镓(GaN)和砷化嫁(GaAs)作为第三代半导体材料,具有耐高温、耐高电压等特性,随着5G技术的发展,它们的商用价值进入“快车道”。①①下列有关说法正确的是(填字母)。a.Ga位于元素周期表第四周期ⅣA族b.Ga为门捷列夫预言的“类铝”

①该透明陶瓷的化学式为。②已知两个最近的Mg原子之间的距离为anm,设NA为阿伏加德罗常数的值,则该透明陶瓷立方晶胞的密度为gcm^-3用含a、NA的代数式表示)。

5.下列事实的微观解释不正确的是()A.干冰升华——分子间隔变大B.水烧开后把壶盖顶开一一分子数目变多C.水在通电的条件下发生分解反应一分子种类变化D.湿衣服晾在太阳底下干得快——分子运动速率变快

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