江准名校·2024~2023学年下学期高一年级阶段联考(231610D)化学

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江准名校·2024~2023学年下学期高一年级阶段联考(231610D)化学试卷答案

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(1)GaN是第三代半导体材料,基态Ga的电子排布式为,GaN晶体为共价键空间网状结构,熔点700^C,晶体类型为

13.CH4与CO2重整是CO2利用的研究热点之一,该重整反应体系主要涉及以下反应,且13000K以上会产生积碳现象。反应I:CH4(g)+CO2(g)2CO(g)+2H2(g)H1=274.6kJmol^-1反应II:CO2(g)+H2(g)CO(g)+H2O(g)H2=41.2kJmol^-1

225^C时,当VO3^-恰好完全沉淀时沉钒率达到最大,溶液中c(NH3H2O)=mol/L(结果保留两位有效数字),

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