潍坊市2026届高三9月开学调研监测考试物理试卷（含答案）

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1、试卷类型：A高 三 开 学 调 研 监 测 考 试物理试题2025.9注意事项：1.答题前，考生先将自己的学校、姓名、班级、座号、考号填涂在相应位置。2.选择题答案必须使用2B铅笔(按填涂样例)正确填涂；非选择题答案必须使用0.5毫米黑色签字笔书写，绘图时，可用2B铅笔作答，字体工整、笔迹清楚。3.请按照题号在各题目的答题区域内作答，超出答题区域书写的答案无效；在草稿纸、试题卷上答题无效。保持卡面清洁，不折叠、不破损。一、单项选择题：本题共8小题，每小题3分，共24分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。1.核电池又叫“放射性同位素电池”，其原理是将衰变过程中不断释放的核能转变

2、为电能。玉兔二号月球车核电池的放射源是其衰变方程为半衰期为88年。下列说法正确的是A.Pu的衰变为衰变B.衰变产生的X 是两个中子和两个质子结合起来形成的C.温度升高，2394Pu 的半衰期缩短D.经过176年后，核电池内核的质量减少2.在使用红色激光器做双缝干涉实验时，通过光传感器得到了光屏上干涉条纹的光照强度随位置变化的图像，如图所示。下列说法正确的是A.图中峰值对应的是暗条纹位置B.相邻峰值之间的距离相等C.若增大双缝间距，图中相邻峰值间距会增大D.将红色激光器换为蓝色激光器，图中相邻峰值间距会增大3.有人制造了一种瓜子破壳机如图甲所示，将瓜子放入两圆柱体所夹的凹槽之间，按压瓜子即可破壳

3、。破壳机截面可简化为如图乙所示，瓜子的剖面可视作顶角为的扇形，将其竖直放入两完全相同的水平等高圆柱体A、B之间，并用竖直向下的恒力F向下缓慢按压瓜子。忽略瓜子重力及形变，不计摩擦力，则其中一侧圆柱体对瓜子的作用力为高 三 物 理 第 1 页(共 8 页)4.一定质量的理想气体从状态a开始，经过一个循环abca，最后回到初始状态a，其P-V图像如图所示，下列说法正确的是B.在bc过程，外界对气体做的功小于气体放出的A.ab段曲线是一条等温线热量C.在ca过程，温度升高，每个分子的速率都会变大D.经过一个循环abca，气体吸收的热量等于放出的热量5.如图所示，质量为3m的一只长方体形空铁箱在水平拉

4、力 F作用下沿光滑水平面向右匀加速运动，铁箱内有一个质量为m 的木块相对铁箱静止在后壁上，则木块对铁箱压力的大小为C.FD.2F6.某中子星的质量为M，半径为R，引力常量为G，贴近该中子星表面，有一颗沿圆轨道运动的小卫星，它的质量为m，下列说法正确的是A.中子星表面的自由落体加速度大小为B.中子星表面的自由落体加速度大小为C.小卫星的线速度大小D.小卫星的线速度大小7.如图所示，虚线为匀强电场中一组等势面，现将带电粒子M从虚线上的O点以一定初速度射出，该粒子在电场中运动的轨迹如图中实线所示，点a、b为实线与虚线的交点，不计粒子重力，下列说法正确的是A.M带负电荷B.a点的电场强度大于b点的电场

5、强度C.M在从O点运动至a点的过程中，电场力对其做负功D.M在O 点的电势能大于在b点的电势能高三物理第2页(共 8 页)8.如图所示，原长为l的轻质弹簧，一端固定在O点，另一端与一质量为m的小球相连，小球套在竖直固定的粗糙杆上，与杆之间的动摩擦因数为0.5，杆上M、N两点与O点的距离均为l，P点到O点的距离为OP与杆垂直。当小球置于杆上P 点时恰好能保持静止，设最大静摩擦力等于滑动摩擦力，重力加速度大小为g，弹簧始终在弹性限度内，小球从M 点由静止释放向下运动到N点过程中，下列说法正确A.弹簧的劲度系数为的是B.小球到N点时速度为零C.小球在P点下方处的加速度大小为(D.从M 点到 P点和从

6、P点到N点的两个运动过程中，摩擦力对小球做功相等二、多项选择题：本题共4小题，每小题4分，共16分。在每小题给出的四个选项中，有多项符合题目要求。全部选对的得4分，选对但不全的得2分，有选错的得0分。9.杭州第19届亚运会上，无线充电椅子惊艳亮相，如图甲所示。图乙是某款充电椅子工作原理图，其中送电线圈和受电线圈匝数比送电线圈和受电线圈所接电阻的阻值均为 R，当ab间接上的正弦交变电源后，受电线圈中产生交变电流给手机快速充电，这时手机两端的电压为5V，充电电流为5A，把送电线圈和受电线圈构成的装置视为理想变压器，下列说法正确的是A.a、b间所接交变电流的方向1 秒内发生50 次变化B.快速充电时，送电线圈的输入电压C.送电线圈和受电线圈所接电阻的阻值，D.快速充电时，受电线圈的输出功率为212.5W高 三 物 理 第 3 页(共 8 页)10.如图甲所示，波源S位于处，从时刻开始振动，其振动图像如图乙所示，形成沿x轴正方向传播的简谐横波，当时，波传播到处。则A.这列波的波速为10m/sB.这列波的波长为6mC.x=1m处质点的起振方向沿y轴正方向D.t=1.4s时,x=1m 处质点的位移